三星加快HBM4开发 计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
hbm4
SK海力士下半年量产HBM4
SK海力士表示，将于今年下半年开始量产第六代HBM产品HBM4，从而引领专为客户各种需求定制 的HBM产品市场，将以技术创新，为AI时代提供新的可能性，创造不可被替代的价值。
三星加快HBM4开发：已进入试生产阶段，计划2025年末量产
三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4的量产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，预计今年进入商业化生产，三星打算用于生产HBM4的DRAM芯
美光HBM4，2026年量产！
美光（Micron）公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与SK海力士和三星等公司一样，也在争夺 HBM4 的主导地位，在
400层闪存、HBM4、122TB SSD等，成为2025年存储市场牵引力
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）在人工智能、数据中心、新能源汽车、智能终端等应用的带动下，存储新技术新产品加速到来。例如数据中心市场，不仅是高带宽HBM持续进阶，HBM3E到HBM4的演进，企业级SSD也因AI训练和推理所需数据量的增加而不断扩大容量，以至于12
传三星已订购1c DRAM生产设备，为HBM4量产铺平道路
尽管三星仍在为12层堆叠的HBM3E获得英伟达认证而努力，但是并没有放慢下一代HBM产品的开发步伐。早些时候有报道称，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。
传SK海力士改采台积电3纳米产HBM4，三星考虑跟进
市场谣传，SK海力士（SK Hynix）将应重要客户要求，于明（2025）年下半以3纳米生产定制化的第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”，而非原定的5纳米制程。
特斯拉致力开发AI芯片，传要三星、SK海力士提供HBM4样本
韩媒传出，特斯拉（Tesla Inc.）为了开发自有的AI芯片，已要求三星电子（Samsung Electronics Co.）、SK海力士（SK Hynix Inc.）提供第六代高带宽内存（HBM）“HBM4”样本。